MOSFET FOR 快速充电器

推荐系列

650V/700V Multi-EPI SJ MOS

产品优势

"基于革命性超结 (SJ) 原理设计,使用先进的多次外延(Multi-EPI)工艺技术制造,拥有更优的EMI特性,更容易通过安规认证;超低导通电阻和结电容,有效降低导通损耗和开关损耗,效率高,发热小,可以适应更高的开关频率;DFN超薄外形封装,可应用于小体积PD快速充电器。 "

 

系统概述

反激是指反激高频变压器隔离输入输出回路的开关电源,mos导通时,输出变压器充当电感,电能转化为磁能,此时输出回路无电流,相反,当mos关断时,输出变压器释放能量,磁能转化为电能,输出回路有电流。反激电路元器件少,电路简单成本低体积小可同时输出多路互相隔离的电路。

系统原理图

http://www.tsinghuaicwx.com/Upload/app/kuaicsr-6da7d95a66d84047bbc46fc9365944ab.png

产品列表

产品系列

产品型号

Multi-EPI SJ

TPG65R125MH

TPG65R175MH

TPG65R280MH

TPG65R360M

TPG65R365MH

TPG70R125MH

TPG70R600M

 

 

创建时间:2021-12-04 09:31