MOSFET FOR 快速充电器

推荐系列

650V/700V Multi-EPI SJ MOS

产品优势

"基于革命性超结 (SJ) 原理设计，使用先进的多次外延（Multi-EPI）工艺技术制造，拥有更优的EMI特性，更容易通过安规认证；超低导通电阻和结电容，有效降低导通损耗和开关损耗，效率高，发热小，可以适应更高的开关频率；DFN超薄外形封装，可应用于小体积PD快速充电器。 "

系统概述

反激是指反激高频变压器隔离输入输出回路的开关电源，mos导通时，输出变压器充当电感，电能转化为磁能，此时输出回路无电流，相反，当mos关断时，输出变压器释放能量，磁能转化为电能，输出回路有电流。反激电路元器件少，电路简单成本低体积小可同时输出多路互相隔离的电路。

系统原理图

产品列表