储能系统的完整功率器件解决方案
方案介绍
巨风针对储能市场能够提供一套完整的功率半导体解决方案，包括针对储能系统DCDC升压、LLC、H桥DC-AC逆变应用。具体产品包括低侧驱动IC、HVIC、隔离驱动、IGBT及功率模组方案。
方案优势
- 完整的针对储能应用的低侧LVIC、HVIC、IGBT等产品，满足不同客户的应用需求
- HVIC优异的抗负压能力，降低客户对PCB走线要求
- 优化针对储能不同应用的IGBT技术，降低开关损耗或导通损耗，满足储能应用的严苛要求
系统框图
推荐器件
HVIC
| 产品型号 | 产品简介 |
| TR4427是一款双通道，低侧栅极驱动器。 | |
| TR4417是一款单通道，低侧栅极驱动器。 | |
| TR2752X是一款低侧双通道驱动IC。 | |
| TR2127X是一款单通道带过流保护的驱动IC | |
| TR2113是一款600V高侧和低侧栅极驱动器，高电压，高速率功率MOSFET和IGBT驱动器，具有UVLO保护和SD使能控制功能，具有独立的Vss和COM引脚。 | |
| TR218x/TR21867是高侧和低侧双通道驱动IC | |
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TR210X |
TR210X系列包含TR2101/TR2102/TR2103/TR2104等，是一款600V高侧和低侧栅极驱动器。 |
IGBT
| 产品型号 | 产品简介 |
| TRW(E/G)5065NH1是50A，650V高可靠性IGBT，具有高速开关特性、及低导通损耗和开关损耗等特点。 | |
| TRW5065SL1是50A，650V高可靠性IGBT，具有高速开关特性、及低导通损耗和开关损耗等特点。 | |
| TRW(A/B)3065SL1是30A,650V高可靠性IGBT,具有高速开关特性、及低导通损耗和开关损耗等特点。 | |
| TRE(G/W)3065NH1是30A,650V高可靠性IGBT,具有高速开关特性、及低导通损耗和开关损耗等特点。 | |
| TRW(A/B/P)2065SL1系列是20A,650V高可靠性IGBT晶体管,具有低的导通损耗和开关损耗等特点。 | |
| TRA(P/B/D)1565SL1系列是15A,650V高可靠性IGBT晶体管,具有低的导通损耗和开关损耗等特点。 |
创建时间：2022-12-14 10:07
